STB30NM60ND دیتاشیت

STx30NM60ND

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STx30NM60ND
حجم فایل 817.747 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 18

مشاهده دیتاشیت STx30NM60ND-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: STMicroelectronics
  • Series: FDmesh™ II
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 12.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D2PAK
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: STB30N
  • detail: N-Channel 600V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK

محصولات مشابه